国家知识产权局信息显示，北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件”的专利，公开号CN 121001370 A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，提供一种LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件。该方法兼容BCD工艺，通过在场氧化层和氮化物层形成空腔，然后在空腔内沉积多晶硅，只需一次多晶硅淀积即可形成浮动栅和控制栅，简化了制造工艺步骤。该器件中ONO介质层和第二多晶硅层中具有凹槽，第一多晶硅层作为浮动栅，凹槽两侧的第二多晶硅层分别作为两个控制栅，由于ONO介质层能够捕获电荷，ONO介质层捕获的电荷容易被吸引进入浮动栅并存储在浮动栅中，因此浮动栅可以存储更多的电荷，更容易控制器件的开启。作为浮动栅的第一多晶硅层与ONO介质层、隔离区共同构成场板结构，可以进一步降低器件的表面电场，提高器件的击穿电压。
天眼查资料显示，北京智芯微电子科技有限公司，成立于2013年，位于北京市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本641018.943287万人民币。通过天眼查大数据分析，北京智芯微电子科技有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目4172次，财产线索方面有商标信息136条，专利信息3093条，此外企业还拥有行政许可10个。
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