国家知识产权局信息显示，深圳市华南微电子有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121038324A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体领域，该半导体器件包括：衬底；外延层，位于衬底上；至少两组高浓度P型阱区，设于外延层内且横向间隔分布；栅极沟槽，贯穿外延层并位于两组高浓度P型阱区之间；第一阶梯浓度掺杂区，位于栅极沟槽下部；第二阶梯浓度掺杂区，位于栅极沟槽上部；栅极氧化层，覆盖栅极沟槽内壁；栅极结构，设于栅极沟槽内，包括：第一多晶硅栅极及覆盖其表面的第一隔离介质层，第一多晶硅栅极靠近栅极沟槽下部；第一氧化层及位于其上的第二多晶硅栅极，第二多晶硅栅极靠近栅极沟槽上部；复合接触结构，分别与外延层、高浓度P型阱区、第一阶梯浓度掺杂区、第二阶梯浓度掺杂区连接。实现了提高器件良率。
天眼查资料显示，深圳市华南微电子有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1075.2688万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市华南微电子有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息8条，此外企业还拥有行政许可5个。
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