国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置”的专利，公开号CN 121013360 A，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置，形成方法包括：提供半导体结构；半导体结构包括衬底层、位于衬底层上的牺牲单元和第一底部隔离层、位于牺牲单元和第一底部隔离层上的在水平方向间隔排列的多个第一结构和多个沟槽；每个第一结构包括位于牺牲单元上的沟道结构，以及位于沟道结构和第一底部隔离层上的伪栅极；去除牺牲单元，得到牺牲单元对应的空腔；在空腔中形成第二底部隔离层；第二底部隔离层和第一底部隔离层形成底部隔离层。本申请实施例中，通过牺牲单元占位的方法在半导体器件中的第一结构和多个沟槽与衬底层之间形成底部隔离层，防止电流通过衬底层泄露，降低了功耗，提高了半导体器件的效率，降低了生产成本。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。
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