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Vishay推出新型40Vn沟道MOSFET半桥功率级——SiZ240DT

发表时间:2020-11-01 22:16

10月27日,Vishay推出新型40Vn沟道MOSFET半桥功率级——SiZ240DT,可用来提高白色家电以及工业、医疗和通信应用的功率密度和效率。该器件在小型PowerPAIR® 3.3mmx 3.3mm单体封装中集成高边和低边MOSFET,导通电阻和导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数(FOM)达到业界出色水平。

SiZ240DT中的两个TrenchFET® MOSFET内部采用半桥配置连接。SiZ240DT的通道1MOSFET,通常用作同步降压转换器的控制开关,10V时最大导通电阻为8.05mΩ,4.5V时为12.25mΩ。通道2MOSFET,通常用作同步开关,10V时导通电阻为8.41mΩ,4.5V时为13.30mΩ。这些值比其它竞品低16%。结合6.9nC(通道1)和6.5nC(通道2)低栅极电荷,导通电阻与栅极电荷乘积FOM比位居第二的器件低14%,有助于提高快速开关应用的效率。

日前发布的双MOSFET比采用6mm x 5mm封装的双器件小65%,是目前市场上体积最小的集成产品之一。此外,新型器件还为设计师提供节省空间的解决方案,适用于真空吸尘器、无人机、电动工具、家庭/办公自动化和非植入式医疗设备的电机控制,以及电信设备和服务器的无线充电器和开关电源。

据悉,新型双MOSFET现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为12周。

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