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Vishay威世 MOSFET SIHG47N60AEF-GE3
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Vishay威世 MOSFET SIHG47N60AEF-GE3
型号: SIHG47N60AEF-GE3
品牌: Vishay威世
封装类型: TO-247AC-3
产品详情

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247AC-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 70 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

Qg-栅极电荷: 189 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 313 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

系列: EF  

商标: Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 最小值: 13 S  

CNHTS: 8541290000  

下降时间: 67 ns  

HTS Code: 8541290095  

MXHTS: 85412999  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 63 ns  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 143 ns  

典型接通延迟时间: 35 ns


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