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Vishay威世 MOSFET  SIDR626DP-T1-GE3
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Vishay威世 MOSFET  SIDR626DP-T1-GE3
型号: SIDR626DP-T1-GE3
品牌: Vishay威世
封装类型: PowerPAK-SO-8DC-8
产品详情

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8DC-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 68 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

封装: Cut Tape

封装: Reel

系列: SID  

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 最小值: 78 S  

CNHTS: 8541290000  

下降时间: 11 ns  

HTS Code: 8541290095  

MXHTS: 85412999  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 24 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 30 ns  

典型接通延迟时间: 16 ns

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